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佐藤 高広*; 笹瀬 雅人; 岡安 悟; 北條 喜一
Advances in Superconductivity XII, p.362 - 364, 2000/00
点欠陥と超伝導特性の関係を明らかにする目的で、低エネルギー軽イオン照射実験を行った。Eu系薄膜超伝導体に45KV He,22.5KV Hイオンを照射し、格子定数、T,J等について測定した。その結果、dpaの増加とともに格子定数は増加し、Tは減少した。また、JはHeイオン照射時において高磁場(1~2T)下で上昇する特異な現象が観察された。この現象がHeイオン照射による構造変化の内で何に起因するかまだ明らかにすることはできなかった。